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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL18NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL18NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTL18NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL18NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL18NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL18NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效转换和调节电压。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,用于驱动直流电机或步进电机。 3. 负载开关:作为电子开关控制高功率负载,如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统:在电动车辆、储能系统和便携设备中,用于电池充放电管理和保护电路。 5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,实现电能形式的转换与稳定输出。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(600V)和较强的电流承载能力,适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和节能特性,适用于工业、消费电子及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLATMOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL18NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL18NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 310 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 310 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ (8x8) HV |
| 其它名称 | 497-11847-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251751?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 310 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-powerflat-8x8/656 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A (Ta), 12A (Tc) |
| 系列 | STL18NM60N |
| 配置 | Single |