【晶体管 - FET，MOSFET - 单_ZVN4206GTA】封装/厂家_ZVN4206GTA中文资料_价格

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型号： ZVN4206GTA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4206GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4206GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN4206GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZVN4206GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4206GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的ZVN4206GTA是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。以下是其主要应用领域：

 1. 电源管理
ZVN4206GTA常用于各种电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器和电池充电电路。它能够高效地控制电流流动，确保电源系统的稳定性和效率。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高能效。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中，ZVN4206GTA可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻使得电机运行更加平稳，同时降低了发热问题，延长了电机的使用寿命。

 3. 负载开关
ZVN4206GTA可以用作负载开关，广泛应用于消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。它能够在需要时迅速切断或接通负载电源，保护电路免受过流、短路等故障的影响。

 4. 信号切换
在通信设备和音频系统中，ZVN4206GTA可用于信号切换。它可以精确地控制信号路径的通断，确保信号传输的稳定性和可靠性。此外，其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频信号切换时表现出色。

 5. LED驱动
ZVN4206GTA适用于LED驱动电路，特别是在便携式设备和汽车照明系统中。它可以通过PWM（脉宽调制）控制LED的亮度，实现节能和调光功能。其快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统性能。

 6. 保护电路
ZVN4206GTA还可以用于设计过流保护、过温保护和欠压锁定等保护电路。通过检测异常情况并及时切断电源，它可以有效防止电路损坏，提高系统的安全性和可靠性。

总之，ZVN4206GTA凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换、LED驱动和保护电路等多种场景，满足不同行业的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223MOSFET N-Chnl 60V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1 A
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4206GTA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZVN4206GTA
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.5 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1.5 Ohms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	12 ns
下降时间	15 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1 欧姆 @ 1.5A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFETs
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	ZVN4206G ZVN4206GCT
其它图纸
典型关闭延迟时间	12 ns
功率-最大值	2W
包装	剪切带（CT）
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	1.5 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	1 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Source

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