【未分类_IRFB4137PBF】封装/厂家_IRFB4137PBF中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFB4137PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4137PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4137PBF价格参考。International RectifierIRFB4137PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFB4137PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4137PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFB4137PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IRFB4137PBF适用于各种开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够高效地处理高电流负载，从而减少能量损耗并提高系统效率。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。凭借其快速开关特性和良好的热性能，IRFB4137PBF可以稳定地控制电机的启停、转向和速度调节。

3. 逆变器与变频器：  
   在太阳能逆变器和工业变频器应用中，IRFB4137PBF可用于功率级开关，实现高效的电能转换和频率调节。

4. 电池管理系统（BMS）：  
   该器件可用作电池充放电路径中的开关，提供过流保护和短路保护功能，确保锂电池组的安全运行。

5. 负载切换与保护电路：  
   在消费电子设备或汽车电子系统中，IRFB4137PBF可以用作负载切换开关，快速响应负载变化，并提供过载保护。

6. 音频放大器：  
   在D类音频放大器中，这款MOSFET可作为输出级开关元件，提供高保真度和低失真的音频信号放大。

7. 电动车与电动工具：  
   IRFB4137PBF适用于电动车（如电动自行车）和电动工具（如无绳钻机）的功率控制系统，支持高效的能量传输和动态负载管理。

总结来说，IRFB4137PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种场景中，尤其是在中小功率范围内的电子设备和系统中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAKMOSFET 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	38 A
Id-连续漏极电流	38 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4137PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFB4137PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	341 W
Pd-功率耗散	341 W
Qg-GateCharge	125 nC
Qg-栅极电荷	125 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	56 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	56 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	300 V
Vds-漏源极击穿电压	300 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	23 ns
下降时间	20 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5168pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	125nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	69 毫欧 @ 24A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220
典型关闭延迟时间	34 ns
功率-最大值	341W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	45 S
漏源极电压(Vdss)	300V
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-300-v-power-mosfets/3188
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	38A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single