Datasheet下载- 型号： STW32N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW32N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW32N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW32N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW32N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW32N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW32N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压（650V）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换系统。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中，提升能效和功率密度。 2. 工业电源与服务器电源：在高可靠性要求的工业设备和服务器中，作为DC-DC转换器或功率因数校正（PFC）电路的关键元件。 3. 电机驱动与逆变器：用于工业电机控制、电动工具及小型逆变器中，实现高效能与快速开关控制。 4. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等，用于实现高效的能量转换与管理。 5. 汽车电子：在车载充电系统、DC-DC转换器等应用中，满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET采用先进的超结技术，具有优异的开关性能和热稳定性，适合高频工作环境，有助于减小系统体积并提升整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO-247MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 24 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW32N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW32N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 119 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 119 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3320pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 119 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-10999-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221900?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | STW32N65M5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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