ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD50P04-09L-E3
Datasheet下载- 型号： SUD50P04-09L-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P04-09L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P04-09L-E3价格参考。VishaySUD50P04-09L-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD50P04-09L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50P04-09L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50P04-09L-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，具有-50V的漏源电压（VDS）和-12A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至约9.8mΩ（典型值），适用于高效率、大电流的电源开关应用。该器件采用先进的TrenchFET®技术，具备优良的开关性能和功率密度。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的DC-DC转换器、负载开关和电源热插拔控制，因其低导通电阻可减少功耗，提高能效。 2. 电池供电系统：适用于电池保护电路和电池反向连接保护，能够快速响应过流或短路情况，保障系统安全。 3. 电机驱动与电源开关：在便携式电动工具、小型家电和工业控制中作为高效开关元件，控制电机启停或电源通断。 4. 热插拔与冗余电源系统：用于服务器、通信设备等需要不断电更换模块的场合，实现平稳的电源接入与断开。 5. 汽车电子辅助系统：可用于车载信息娱乐系统、车灯控制或电源分配模块，满足AEC-Q101可靠性标准的部分严苛要求。 SUD50P04-09L-E3采用PowerPAK® SO-8封装，尺寸紧凑，散热性能好，适合空间受限的高密度PCB设计。其高可靠性与优异电气特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252MOSFET 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72243 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50P04-09L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD50P04-09L-E3SUD50P04-09L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 140 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.4 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | SUD50P04-09L-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 73 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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