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Datasheet下载- 型号： IRF7832TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7832TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7832TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7832TRPBF价格参考￥3.12-￥3.37。International RectifierIRF7832TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7832TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7832TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7832TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于FET/MOSFET单晶体管类别。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于同步整流、DC-DC转换器（如降压、升压变换器）中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、主板、显卡等设备的电压调节模块（VRM）。 2. 负载开关与电源开关：因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用作电池供电设备中的负载开关，控制电源通断，降低功耗。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现精确控制。 4. 热插拔电路：用于服务器、通信设备中，防止带电插拔时产生电流冲击，保护系统稳定运行。 5. 消费类电子产品：如智能手机充电管理、便携式设备电源系统等，得益于其小型化封装（如SO-8），节省PCB空间。 IRF7832TRPBF具备高可靠性、优良的热性能和抗雪崩能力，适合工业、汽车电子及高密度电源设计。其无铅环保设计也符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的产品。总体而言，该MOSFET适用于中低功率、高效率开关电源系统，是现代电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 4.31 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7832TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7832TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.32 V |
| 上升时间 | 6.7 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.32V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4310pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7832PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 77 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7832.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7832.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
