Datasheet下载- 型号： SI3493DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3493DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3493DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3493DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3493DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3493DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3493DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和功率控制应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于 DC-DC 转换器、稳压器等，用于高效能电源转换，提高能源利用率。 2. 负载开关：作为电子开关控制电源到负载的通断，常见于笔记本电脑、平板和智能手机中。 3. 马达驱动：用于小型马达或步进马达的驱动电路，实现快速开关控制。 4. 电池供电设备：如便携式电子产品、无线传感器等，因其低导通电阻和小封装，适合低功耗设计。 5. 工业控制：用于自动化设备中的功率控制模块，如PLC、继电器替代方案等。 6. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中用于电源切换和功率调节。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和小尺寸封装（如SOT-23），适合高密度和高效率设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3493DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
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