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  • 型号: IXFH6N120P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH6N120P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH6N120P价格参考。IXYSIXFH6N120P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH6N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH6N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFH6N120PPolar™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFH6N120P

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

Qg-GateCharge

92 nC

Qg-栅极电荷

92 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.75 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.75 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

11 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2830pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

Polar, HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

3 S

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

IXFH6N120

通道模式

Enhancement

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