ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC847PN-7-F
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847PN-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847PN-7-F价格参考。Diodes Inc.BC847PN-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 300MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载BC847PN-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847PN-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BC847PN-7-F是一款双极晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。这款器件由多个双极晶体管组成,能够在一个封装内提供多个独立的晶体管功能,从而简化电路设计并减少元件数量。 应用场景: 1. 信号放大: BC847PN-7-F可以用于音频放大器、射频放大器等需要信号放大的场合。由于其低噪声特性和良好的线性度,适合处理微弱信号,确保输出信号的保真度。 2. 开关应用: 该晶体管阵列也可用作开关元件,例如在电源管理电路中控制电流的通断。其快速响应时间和低饱和电压使其成为高效开关的理想选择。 3. 逻辑电平转换: 在不同逻辑电平之间进行转换时,BC847PN-7-F可以起到桥梁作用,将较低电压的逻辑信号转换为较高电压的驱动信号,适用于接口电路或通信模块。 4. 保护电路: 利用其电流放大特性,可以在过流保护、短路保护等安全机制中发挥重要作用,防止后续电路因过载而损坏。 5. 传感器接口: 对于一些需要高增益输入的传感器(如光电传感器),BC847PN-7-F可以作为前置放大器,增强传感器输出信号的幅度,便于后续处理。 6. 脉宽调制(PWM)控制: 在电机驱动、LED调光等领域,通过PWM技术调节功率输出时,BC847PN-7-F可以用作功率级的一部分,实现精确的功率控制。 总之,BC847PN-7-F凭借其紧凑的封装形式和优异的电气性能,在众多消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847PN-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847PN-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BC847PN-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847P |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz,200MHz |