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  • 型号: BUK9217-75B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9217-75B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9217-75B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9217-75B,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9217-75B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9217-75B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK9217-75B,118 是一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于电源管理和负载开关等场合。

该器件常见应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源适配器和电池充电系统,提升转换效率并减少能量损耗。
2. 电机控制:在电动工具、电动车和工业自动化中作为电机驱动开关,具备快速开关能力和高可靠性。
3. 照明系统:用于LED照明驱动电路,支持调光和高效能运作。
4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块及车载充电设备,符合汽车级可靠性要求。
5. 工业控制:用于PLC、继电器替代和负载开关控制,提供紧凑高效的解决方案。

综上,BUK9217-75B,118适用于高效率、高稳定性的功率开关应用,尤其适合对空间和能效有要求的工业与汽车领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 64A DPAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

64 A

Id-连续漏极电流

64 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9217-75B,118TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK9217-75B,118

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

167 W

Pd-功率耗散

167 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

15 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

102 ns

下降时间

58 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4029pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFETs - Arrays

供应商器件封装

DPAK

其它名称

568-5857-6

典型关闭延迟时间

101 ns

功率-最大值

167W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

15 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

SOT-428-3

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 185 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

75 V

漏极连续电流

64 A

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

64A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK9217-75B

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