Datasheet下载- 型号： SPP80N06S2L-11
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP80N06S2L-11由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP80N06S2L-11价格参考。InfineonSPP80N06S2L-11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP80N06S2L-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP80N06S2L-11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的SPP80N06S2L-11是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中低电压开关场景。该器件耐压60V，导通电阻低，具备高电流承载能力，适合高效能、高密度电源设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器（如降压、升压拓扑），在服务器、通信设备和工业电源中实现高效能量转换。 2. 电机驱动：适用于电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）和小型工业电机的驱动电路，提供快速开关响应和低功耗运行。 3. 电池管理系统：在便携式设备和电动交通工具的电池保护板中，作为充放电控制开关，确保系统安全与效率。 4. 照明应用：用于LED驱动电源，支持恒流输出和高能效工作。 5. 消费电子与工业控制：如充电器、适配器、UPS不间断电源及各类负载开关电路。 SPP80N06S2L-11采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适合通孔安装，在需要高性价比和稳定性能的中功率应用中表现优异。其优化的栅极设计降低了开关损耗，有助于提升整体系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_I80N06S2L-11.pdf?folderId=db3a304412b407950112b432483b5797&fileId=db3a304412b407950112b43248ae5798 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPP80N06S2L-11 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 93µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO220-3 |
| 其它名称 | SP000013584 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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