Datasheet下载- 型号： FQT13N06LTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQT13N06LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQT13N06LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQT13N06LTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQT13N06LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQT13N06LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FQT13N06LTF是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有13A连续漏极电流、60V漏源击穿电压和低导通电阻的特点，适用于中等功率开关应用。 其典型应用场景包括：电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器，用于高效能量转换；电机驱动电路，广泛应用于小型电机控制，如家电、电动工具和工业控制系统；LED照明驱动电源，支持高效率恒流输出；以及各类消费类电子产品中的负载开关或电源开关模块。 由于采用TO-252（DPAK）封装，FQT13N06LTF具备良好的热稳定性和便于散热设计，适合在紧凑型电源系统中使用。同时，其逻辑电平兼容栅极特性（可由3.3V或5V驱动信号直接驱动），使其能与微控制器、数字信号处理器等低压控制电路无缝对接，广泛应用于嵌入式系统和便携设备中。 综上，FQT13N06LTF凭借高效率、高可靠性和易驱动等优势，广泛用于工业控制、消费电子、汽车电子辅助系统及电源适配器等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223MOSFET 60V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT13N06LTFQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQT13N06LTF |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FQT13N06LTFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
| 系列 | FQT13N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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