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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-40YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-40YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R0-40YS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R0-40YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R0-40YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R0-40YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,适用于需要高效能功率管理的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,因其低导通损耗可提高整体能效。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型电机驱动电路,提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 电池供电系统:在便携式设备如笔记本电脑、移动电源和电动自行车中,用于电池保护和负载切换,有助于延长电池寿命。 4. 照明系统:用于 LED 驱动电源,支持恒流输出与高效调光功能。 5. 汽车电子:适用于车载辅助系统,如车灯控制、风扇驱动和小型继电器替代,符合 AEC-Q101 标准,具备良好的可靠性。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-263),散热性能优良,适合自动化贴装,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。其 40V 耐压和 4.0mΩ 的超低导通电阻使其在大电流应用中表现优异,同时减少发热,提升系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAKMOSFET N-CH 40V 4.2 mOhm Standard MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-40YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R0-40YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4905-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |