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  • 型号: PSMN4R0-40YS,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-40YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-40YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R0-40YS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R0-40YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R0-40YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN4R0-40YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,适用于需要高效能功率管理的场景。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,因其低导通损耗可提高整体能效。  
2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型电机驱动电路,提供快速开关响应和良好热稳定性。  
3. 电池供电系统:在便携式设备如笔记本电脑、移动电源和电动自行车中,用于电池保护和负载切换,有助于延长电池寿命。  
4. 照明系统:用于 LED 驱动电源,支持恒流输出与高效调光功能。  
5. 汽车电子:适用于车载辅助系统,如车灯控制、风扇驱动和小型继电器替代,符合 AEC-Q101 标准,具备良好的可靠性。  

该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-263),散热性能优良,适合自动化贴装,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。其 40V 耐压和 4.0mΩ 的超低导通电阻使其在大电流应用中表现优异,同时减少发热,提升系统稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAKMOSFET N-CH 40V 4.2 mOhm Standard MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-40YS,115-

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产品型号

PSMN4R0-40YS,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

106 W

Pd-功率耗散

106 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

上升时间

19 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2410pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 15A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-4905-6

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

106W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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