Datasheet下载- 型号： SIE822DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE822DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE822DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE822DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE822DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE822DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE822DF-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（-20V）和大电流承载能力（-4.3A），适用于负载开关、电源转换、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制等场景。 该 MOSFET 采用紧凑的 TSOP 封装，适合对空间要求较高的便携式设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。此外，其良好的热稳定性和可靠性也使其适用于工业控制、汽车电子中的辅助电源系统等环境较为严苛的应用。 综上，SIE822DF-T1-GE3 适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的中低功率电源管理与开关控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE822DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 18.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（S） |
| 其它名称 | SIE822DF-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（S） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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