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  • 型号: PSMN3R9-25MLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R9-25MLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R9-25MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R9-25MLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33。您可以下载PSMN3R9-25MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN3R9-25MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PSMN3R9-25MLC,115是一款高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅3.9 mΩ @ VGS = 10 V,4.8 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID达120 A)及优异热性能。其主要应用场景包括:

- 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器,降低导通损耗,提升能效;
- 电机驱动与负载开关:适用于电动工具、无人机电调、BLDC电机控制器及智能家电中的H桥或半桥驱动模块,支持快速开关与大电流切换;
- 电池管理系统(BMS)与电子保险丝:凭借低RDS(on)和强短路耐受能力,用于电池保护电路中的主充放电路径开关及过流保护;
- LED照明驱动与固态继电器:在高功率LED恒流驱动及替代机械继电器的固态开关中实现高效、静音、长寿命控制。

该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证(部分批次),亦适用于严苛工业环境;逻辑电平驱动特性使其可直接由MCU/GPIO(3.3V/5V)驱动,简化外围电路设计。综合来看,PSMN3R9-25MLC,115适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中高功率开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN3R9-25MLC,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1524pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.15 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

LFPAK33

其它名称

568-9575-1

功率-最大值

69W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

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