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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R9-25MLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R9-25MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R9-25MLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33。您可以下载PSMN3R9-25MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN3R9-25MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN3R9-25MLC,115是一款高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅3.9 mΩ @ VGS = 10 V,4.8 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID达120 A)及优异热性能。其主要应用场景包括: - 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器,降低导通损耗,提升能效; - 电机驱动与负载开关:适用于电动工具、无人机电调、BLDC电机控制器及智能家电中的H桥或半桥驱动模块,支持快速开关与大电流切换; - 电池管理系统(BMS)与电子保险丝:凭借低RDS(on)和强短路耐受能力,用于电池保护电路中的主充放电路径开关及过流保护; - LED照明驱动与固态继电器:在高功率LED恒流驱动及替代机械继电器的固态开关中实现高效、静音、长寿命控制。 该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证(部分批次),亦适用于严苛工业环境;逻辑电平驱动特性使其可直接由MCU/GPIO(3.3V/5V)驱动,简化外围电路设计。综合来看,PSMN3R9-25MLC,115适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中高功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN3R9-25MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1524pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.15 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9575-1 |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A (Tc) |