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- 型号： NVD5414NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5414NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5414NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5414NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5414NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5414NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5414NT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适用于需要高效能和可靠性的电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：在DC-DC转换器、电源开关电路中作为高频开关元件，提升能量转换效率。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，实现对电机启停与方向的控制。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关，实现对不同模块的供电控制以节省功耗。 4. 工业自动化：应用于PLC、传感器模块及继电器替代方案中，提高系统响应速度与稳定性。 5. 汽车电子：如车载充电系统、照明控制模块等对可靠性要求较高的环境中。 其SOT-223封装形式便于散热，适合在空间受限但需一定功率处理能力的设计中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 24A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5414NT4G |
| rohs | 无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 24A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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