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- 型号： NTD4860N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4860N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4860N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4860N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4860N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4860N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4860N-1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于中高功率的开关应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器中，作为高效的功率开关元件。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中，用于控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：作为电子负载开关，用于控制电源对负载的供电，如在服务器、计算机主板或工业控制系统中。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器或变频电路中用于实现直流到交流的转换。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动或电机控制模块中。 6. 消费类电子产品：如充电器、适配器、智能家电等，用于提高系统效率与可靠性。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热，适用于表面贴装工艺，适合高密度电路设计。由于其良好的性能与成本优势，NTD4860N-1G在工业、消费及汽车电子领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4860N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1308pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.28W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A （Ta）， 65A （Tc） |
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