【未分类_STF9N60M2】封装/厂家_STF9N60M2中文资料_价格

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型号： STF9N60M2
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STF9N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF9N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF9N60M2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STF9N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF9N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics 的 STF9N60M2 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，属于晶体管中的 MOSFET 单管类别。该器件具有 600V 的漏源击穿电压和较高的开关效率，适用于高电压、中等电流的电源转换场景。

主要应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：广泛用于电视、显示器、充电器、适配器等设备的 AC-DC 转换电路中，因其具备良好的导通特性和快速开关能力，有助于提高能效并减小系统体积。  
2. 照明驱动：适用于电子镇流器、LED 驱动电源等照明系统，支持高频工作，有助于提升灯具的稳定性和寿命。  
3. 电机控制：在小型家电或工业控制中的电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机启停和调速的高效控制。  
4. 逆变器与 UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等设备中，承担直流到交流的转换任务，具备良好的热稳定性和可靠性。  

STF9N60M2 采用先进的 MDmesh™ M2 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷，从而减少开关损耗，提升整体系统效率。其封装形式（如 TO-220FP 或类似）便于散热和安装，适合紧凑型设计。  

综上，STF9N60M2 特别适用于对能效、可靠性和空间布局有较高要求的中高功率电源应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 55A MDMesh II
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5.5 A
Id-连续漏极电流	5.5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF9N60M2MDmesh™ II Plus
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STF9N60M2
Pd-PowerDissipation	20 W
Pd-功率耗散	20 W
Qg-GateCharge	10 nC
Qg-栅极电荷	10 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	780 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	780 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	650 V
Vds-漏源极击穿电压	650 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	7.5 ns
下降时间	13.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	320pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	780 毫欧 @ 3A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	497-13833-5
典型关闭延迟时间	22 ns
功率-最大值	20W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.5A （Tc）
系列	STF9N60M2
配置	Single