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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3010LPS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3010LPS-13价格参考。Diodes Inc.DMP3010LPS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP3010LPS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3010LPS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMP3010LPS-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: DMP3010LPS-13 具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,适用于各种 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器以及负载点(POL)调节等电源管理应用。它的高效性能有助于减少功率损耗并提高系统效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其低 Rds(on) 特性可降低发热,确保长时间稳定运行。 3. 电池保护与管理: 在便携式设备(如手机、平板电脑、笔记本电脑等)中,DMP3010LPS-13 可用于电池充电保护电路,防止过流、过压或短路等情况发生。此外,它还可用于电池切换电路以实现无缝电源切换。 4. 负载开关: 它适合用作负载开关,在需要动态开启或关闭某些功能模块时(例如 USB 接口供电),可以有效隔离负载并减少静态电流消耗。 5. 信号切换与放大: 在通信设备或工业控制系统中,这款 MOSFET 可用于信号切换或小信号放大的场景,提供快速响应和可靠的性能。 6. 汽车电子: 尽管具体规格需根据车规级要求验证,但类似器件常用于汽车电子中的照明控制、座椅调节、电动车窗等功能模块中,作为功率开关或驱动元件。 7. 消费类电子产品: 包括音频放大器、家用电器控制器等应用中,DMP3010LPS-13 可以承担功率开关或逻辑电平转换的角色,满足高性能需求的同时保持低成本。 综上所述,DMP3010LPS-13 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式(SOT-896),广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式设备等领域,为设计者提供了灵活且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDIMOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 36 A |
| Id-连续漏极电流 | - 36 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3010LPS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP3010LPS-13 |
| Pd-PowerDissipation | 2.18 W |
| Pd-功率耗散 | 2.18 W |
| Qg-GateCharge | 126.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 126.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.1 V |
| 上升时间 | 9.4 ns |
| 下降时间 | 99.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6234pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8(4.9x5.8) |
| 其它名称 | DMP3010LPS-13DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 260.7 ns |
| 功率-最大值 | 2.18W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PowerDI5060-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14.5A (Ta) |
| 系列 | DMP3010 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |