Datasheet下载- 型号： STW60NE10
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW60NE10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW60NE10价格参考。STMicroelectronicsSTW60NE10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW60NE10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW60NE10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW60NE10是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - STW60NE10适用于直流-直流转换器、开关模式电源和电压调节模块中的高频开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在H桥或半桥拓扑结构中，STW60NE10能够高效地实现双向电流控制。 3. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，STW60NE10可用作负载开关，动态管理不同负载的供电状态，降低待机功耗。 4. 电池管理系统（BMS） - 用于锂离子电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保过流、短路和过温保护功能的实现。 5. 逆变器与太阳能微逆变器 - 在小型逆变器中，STW60NE10可以作为功率级开关元件，将直流电转换为交流电，适用于家庭光伏系统或其他可再生能源应用。 6. LED驱动 - 在高亮度LED照明系统中，这款MOSFET可以用作恒流源的开关元件，提供精确的电流控制以保证LED的亮度稳定。 7. 信号放大与缓冲 - 虽然主要用作功率开关，但在某些低频应用中，STW60NE10也可用于信号放大或缓冲电路。 特性优势： - 耐压能力：额定电压100V，适合中低压应用。 - 低导通电阻：典型值为40mΩ（@Vgs=10V），降低传导损耗。 - 高开关速度：栅极电荷较小，支持高频操作。 - 热性能优良：具备良好的散热设计，适合紧凑型应用。 综上所述，STW60NE10凭借其出色的电气特性和可靠性，成为众多中低压功率转换及控制应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW60NE10 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 185nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-2643-5 |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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