Datasheet下载- 型号： SIR882ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR882ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR882ADP-T1-GE3价格参考。VishaySIR882ADP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR882ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR882ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR882ADP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： SIR882ADP-T1-GE3适用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、降压/升压转换器和负载点（POL）转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，该MOSFET可以用作开关元件，用于调节电机的速度和方向。它适合驱动风扇、泵和其他低功率电机。 3. 电池管理： 用于电池保护电路和充电管理，例如锂电池保护板。其低导通电阻有助于降低电池充放电过程中的能量损耗。 4. 消费电子设备： 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源开关和负载开关，确保设备的高效运行和快速响应。 5. 工业自动化： 在工业控制系统中，作为信号放大或开关元件使用，例如在可编程逻辑控制器（PLC）或传感器接口中。 6. 通信设备： 用于网络交换机、路由器等通信设备的电源模块中，提供稳定且高效的电力供应。 7. 汽车电子： 虽然该器件主要面向消费级应用，但在某些非关键车载系统中（如车内照明、娱乐系统），也可以用作开关或调节元件。 总之，SIR882ADP-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，适合需要高效率、低损耗的各类电子设备和系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8MOSFET 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?63367 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR882ADP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR882ADP-T1-GE3SIR882ADP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 19.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1975pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR882ADP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxADP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR882ADP-GE3 |
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