Datasheet下载- 型号： FDP8870
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8870由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8870价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8870封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP8870参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP8870 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FDP8870是一款N沟道MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：FDP8870因其低导通电阻（Rds(on)）和高切换效率，非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的转换，确保电源系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动应用中，FDP8870可用作功率级开关，实现对电机速度和方向的精确控制。其快速开关特性和低损耗有助于提高整体效率。 3. 电池管理：该MOSFET适用于电池充电和保护电路。例如，在锂电池管理系统中，FDP8870可以用来控制电池充放电路径，防止过充、过放及短路等异常情况。 4. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中（如LED照明、汽车电子），FDP8870可作为电子开关使用，提供高效的负载切换功能，同时减少能量损失。 5. DC-DC转换器：作为同步整流器的一部分，FDP8870能够显著提升DC-DC转换器的效率，特别是在降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中表现优异。 6. 汽车电子系统：由于其出色的耐用性和稳定性，FDP8870常被用于汽车环境下的各类应用，如电动窗、雨刷控制系统以及车载信息娱乐设备等。 总之，FDP8870凭借其高性能参数和可靠性，成为许多工业、消费类及汽车领域中功率管理与控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220ABMOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 156 A |
| Id-连续漏极电流 | 156 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8870PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP8870 |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 132nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 35A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.1 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 156 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 156A （Tc） |
| 系列 | FDP8870 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP8870_NL |
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