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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR6225PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR6225PBF价格参考。International RectifierIRLR6225PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR6225PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR6225PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRLR6225PBF 的晶体管,属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)- 单个 类别,是一种高性能的功率MOSFET器件。 该MOSFET的主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源中,因其导通电阻低、开关速度快,能有效提高电源转换效率,降低发热。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适合在高频率开关环境下工作。 3. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,用于控制电源到负载的通断,实现节能与安全保护。 4. 工业自动化与控制系统:用于工业设备中的功率控制模块,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等。 5. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块,因其封装小巧、性能稳定而被广泛采用。 该器件通常采用 P沟道 结构(根据型号命名规则),适合用于高边开关应用,常与N沟道MOSFET配合构成H桥或同步整流电路。其封装形式多为 DPAK或类似表面贴装封装,便于散热和自动化生产。 总结:IRLR6225PBF 是一款适用于多种功率控制场景的通用型MOSFET,尤其适合对效率和空间有要求的电源与控制电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 100A DPAKMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR6225PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR6225PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3770pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 21A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr6225pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr6225pbf.spi |