ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFPC50PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFPC50PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPC50PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPC50PBF价格参考。VishayIRFPC50PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFPC50PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPC50PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFPC50PBF 是一款功率 MOSFET,常用于需要高效开关和高耐压能力的电力电子系统中。其应用场景主要包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,适用于高效率、小体积的开关电源设计。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中,提供快速开关和低导通损耗。 3. 逆变器系统:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中作为核心开关元件。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具及电动车控制器等对可靠性和散热要求较高的场合。 5. 工业自动化与控制设备:用于PLC、伺服驱动器及其他工业控制系统中的功率开关部分。 该器件具备高击穿电压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合中高功率应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247ACMOSFET N-Chan 600V 11 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPC50PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91243 |
产品型号 | IRFPC50PBFIRFPC50PBF |
Pd-PowerDissipation | 180 W |
Pd-功率耗散 | 180 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 37 ns |
下降时间 | 36 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFPC50PBF |
典型关闭延迟时间 | 88 ns |
功率-最大值 | 180W |
功率耗散 | 180 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 600 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |