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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI4886DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4886DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4886DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4886DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4886DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4886DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4886DY-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理与负载开关，用于高效控制电池供电；在DC-DC转换器中作为同步整流开关，提升转换效率并降低功耗；适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机控制中提供快速开关响应；还可用于热插拔电路保护，防止电流冲击损坏系统组件。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性，适合高密度、高效率的电源设计。此外，SI4886DY-T1-GE3采用节省空间的PowerPAK SO-8封装，便于在紧凑型PCB布局中使用，常见于消费电子、工业控制、通信设备及电源适配器等领域。其可靠性和性能使其成为中低功率开关应用中的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4886DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
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