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  • 型号: FDMC2610
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMC2610产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC2610由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC2610价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC2610封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 2.2A(Ta),9.5A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC2610参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC2610 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMC2610 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FDMC2610 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开启和关闭,适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等电路。
   - 其快速开关速度有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中,FDMC2610 可作为功率级开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 它支持高效的 PWM(脉宽调制)控制,适用于家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机驱动。

 3. 负载开关
   - FDMC2610 可用于实现负载开关功能,保护电路免受过流、短路或过热的影响。
   - 其低导通电阻特性可以显著降低开关过程中的功耗,适用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池管理系统中,FDMC2610 可用于电池充放电路径的控制,确保电池的安全运行。
   - 它能够承受较高的电流,并在需要时快速切断电流以保护电池和相关电路。

 5. LED 驱动
   - FDMC2610 可用于 LED 照明系统的驱动电路中,通过 PWM 调光或恒流控制来调节 LED 的亮度。
   - 其高效率和低热耗散特性适合大功率 LED 应用。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,FDMC2610 可用于车身控制模块、座椅调节、车窗升降器等场景。
   - 它具有良好的耐热性和可靠性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

 7. 通信设备
   - 在通信设备中,FDMC2610 可用于信号放大、滤波和功率管理等环节。
   - 其快速响应能力和低噪声性能使其成为通信基站、路由器等设备的理想选择。

综上所述,FDMC2610 凭借其高性能、低功耗和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.5 A

Id-连续漏极电流

9.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC2610UniFET™

数据手册

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产品型号

FDMC2610

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

960pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 2.2A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-Power33(3x3)

其它名称

FDMC2610DKR

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

2.1W

包装

Digi-Reel®

单位重量

45 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Ta), 9.5A (Tc)

系列

FDMC2610

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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