Datasheet下载- 型号： SI3456BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3456BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3456BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3456BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3456BDV-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型DFN1212封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有-20V漏源电压、-2.7A连续漏极电流和低导通电阻（典型值约85mΩ），具备良好的开关性能和低功耗特性。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于电池供电系统的启停控制和节能管理；在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件，提升能效；还可用于USB端口的过流保护和热插拔控制，防止短路和浪涌电流损坏主控芯片。其小尺寸和高可靠性也使其广泛应用于TWS耳机、智能手表等微型电子产品中的电源开关与信号切换。 此外，SI3456BDV-T1-GE3符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合自动化贴片生产，是高密度、低功耗消费类电子产品的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3456BDV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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