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  • 型号: DMG7401SFG-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMG7401SFG-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG7401SFG-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG7401SFG-7价格参考。Diodes Inc.DMG7401SFG-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 940mW(Ta) PowerDI3333-8。您可以下载DMG7401SFG-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG7401SFG-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMG7401SFG-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电池供电系统,实现高效能与低功耗。

2. 负载开关:在需要控制高电流负载的场合,如LED照明、电机驱动或传感器模块中,该器件可作为电子开关使用。

3. 电压转换电路:可用于DC-DC转换器中,协助提升能量转换效率,适用于小型电源适配器及电源模块。

4. 保护电路:在过流、过压保护电路中作为控制元件,保障系统稳定性与安全性。

5. 工业控制系统:广泛应用于工业自动化设备中的信号控制与功率切换。

该MOSFET采用小尺寸封装(如SOT26),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适合中低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DMG7401SFG-7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2987pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 12A,20V

供应商器件封装

PowerDI3333-8

其它名称

DMG7401SFG-7DICT

功率-最大值

940mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerWDFN

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.8A (Ta)

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