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产品简介:
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NVTFS5820NLWFTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和功率控制应用场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds)和良好的热性能,适合需要高效能和高可靠性的设计。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源系统。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路,如无人机、机器人和电动工具中的功率开关。 3. 电池供电设备:如移动电源、便携式电子产品和电池管理系统(BMS),因其低功耗和高效能特性而被广泛采用。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制和车载充电器等场景,满足汽车级工作温度和可靠性要求。 5. 工业自动化:用于PLC、工业开关电源及传感器控制电路中的功率开关元件。 该MOSFET采用紧凑型封装(如PowerFLAT™),便于PCB布局和散热设计,适合高密度和高效率的电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 37A U8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVTFS5820NLWFTAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1462pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.5 毫欧 @ 8.7A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |