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  • 型号: APT38N60BC6
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APT38N60BC6由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT38N60BC6价格参考。MICRO-SEMIAPT38N60BC6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APT38N60BC6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT38N60BC6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

APT38N60BC6是Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)生产的一款高压MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具体为单N沟道MOSFET。该器件具有600V的漏源击穿电压和较高的连续漏极电流能力(约38A),适用于高效率、高功率密度的电力电子应用。

其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):广泛用于工业级AC-DC和DC-DC转换器中,特别是在大功率开关电源中作为主开关器件,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少热损耗。

2. 电机驱动:适用于交流电机控制、变频器及工业自动化设备中的功率驱动模块,能够承受频繁开关和高电压应力,提升系统可靠性。

3. 逆变器系统:常用于太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机等设备中,承担直流到交流的转换任务,具备良好的高温稳定性和抗雪崩能力。

4. 照明电源:可用于高强度气体放电灯(HID)、LED路灯驱动电源等高压照明系统中,实现高效稳定的功率调节。

5. 工业与消费类高耐压产品:适合需要高电压隔离和可靠开关性能的工业控制、医疗电源等场景。

APT38N60BC6采用TO-247封装,散热性能良好,支持高功率运行。其优化的栅极设计降低了开关噪声和电磁干扰(EMI),提升了系统整体稳定性。综合来看,该MOSFET适用于对效率、可靠性和耐压要求较高的中高功率电力电子系统。
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