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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFW69N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFW69N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTFW69N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFW69N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFW69N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFW69N65M5是一款高压、高功率MOSFET,属于超级结(Super Junction)MOSFET系列,适用于需要高效能和高效率转换的电源系统。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中,支持高频率工作,提升能效并减小体积。 2. PFC电路(功率因数校正):在升压式PFC拓扑中表现优异,有助于提高电网利用率,满足能源效率标准(如80 PLUS认证)。 3. 太阳能逆变器:适用于光伏逆变器中的DC-AC转换环节,具备低导通损耗和开关损耗,有助于提高整体系统效率。 4. 电动汽车充电设备:可用于车载充电机(OBC)或充电桩电源模块,支持高电压耐受能力和稳定性能。 5. 工业电机驱动与UPS:在不间断电源(UPS)和工业控制设备中提供高效、可靠的功率切换能力。 该器件具有650V击穿电压、低RDS(on)、高雪崩耐量和优化的热性能,适合高温、高负载环境。其封装形式便于散热设计,适用于紧凑型高功率密度设计。总体而言,STFW69N65M5适用于追求高效率、高可靠性的中高功率电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PFMOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh V MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFW69N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STFW69N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6420pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 143nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 29A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 其它名称 | 497-12977-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253510?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 58 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 58A (Tc) |
| 系列 | STFW69N65M5 |