数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R5-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R5-80BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R5-80BS,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN6R5-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN6R5-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN6R5-80BS,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能,适用于需要高效能功率转换的多种电子系统。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流器等,用于提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、无人机等中的电机控制电路,提供快速开关和高可靠性。 3. 电池管理系统(BMS):应用于电动汽车(EV)、储能系统和便携式设备中,用于电池充放电控制和保护。 4. 负载开关:作为高效电子开关用于控制电源分配,如服务器、通信设备和消费类电子产品中的负载管理。 5. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和工业变频驱动系统中,实现高效的电能转换。 6. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块、辅助电机控制等汽车应用,符合AEC-Q101标准,具备良好的可靠性和稳定性。 该MOSFET采用高性能封装技术,具备良好的散热能力,适合高电流、高频开关应用,广泛用于工业、通信、消费电子和汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAKMOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN6R5-80BS,118- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN6R5-80BS,118 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 210 W |
Pd-功率耗散 | 210 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 73 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 73 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 4.3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4461pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.9 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-9704-1 |
功率-最大值 | 210W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |