ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN4206AVSTZ
Datasheet下载- 型号： ZVN4206AVSTZ
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4206AVSTZ由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4206AVSTZ价格参考。Diodes Inc.ZVN4206AVSTZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）。您可以下载ZVN4206AVSTZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4206AVSTZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN4206AVSTZ是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：ZVN4206AVSTZ常用于各种电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够高效地进行电流控制，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，ZVN4206AVSTZ可以作为功率级元件，用于控制电机的启动、停止和调速。它适用于步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机等，提供可靠的电流切换和保护功能。 3. 信号切换：该MOSFET可用于模拟和数字信号的切换，特别是在需要高频率响应的应用中。例如，在音频设备、通信系统和数据采集系统中，ZVN4206AVSTZ可以实现快速且低噪声的信号路径切换。 4. 负载开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等）中，ZVN4206AVSTZ可以用作负载开关，以控制不同模块的供电状态，从而实现节能和延长电池寿命的目的。 5. 保护电路：ZVN4206AVSTZ还广泛应用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中。通过检测异常工作条件并迅速切断电流路径，它可以有效防止电路损坏，确保系统的稳定性和安全性。 总之，ZVN4206AVSTZ凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多消费电子、工业控制和汽车电子等领域不可或缺的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3MOSFET Avalanche |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4206AVSTZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4206AVSTZ |
| Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | ZVN4206AVSTR-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 300 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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