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Datasheet下载- 型号： PMXB56ENZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB56ENZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB56ENZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB56ENZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3。您可以下载PMXB56ENZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB56ENZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMXB56ENZ是一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET（单个），采用小型DFN1006-3（0402）封装，尺寸仅1.0×0.6×0.4 mm，具备低导通电阻（RDS(on) ≤ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.1 nC）及快速开关特性。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其超小尺寸和低功耗特性节省PCB空间并延长续航； • 高密度DC-DC转换器：作为同步整流或辅助开关，用于升压/降压模块中，提升转换效率（尤其在低电压输入场景）； • LED驱动与背光控制：在OLED/LCD屏幕背光电路中实现精准、高频PWM调光； • IoT传感器节点与可穿戴设备：适用于低待机电流（IDSS < 100 nA）要求的常关型开关应用，支持高效休眠唤醒控制； • ESD敏感环境接口保护：凭借Nexperia车规级可靠性（符合AEC-Q101）及±2000 V HBM ESD防护能力，可用于USB、I²C等信号线侧的防反接与过流隔离。 该器件工作结温范围为–55°C至+150°C，支持无铅回流焊，广泛适配消费电子、工业控制及汽车电子（非安全关键系统）等对尺寸、效率与鲁棒性有严苛要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V DFN1010D-3GR |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB56ENZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 209pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 934067234147 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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