Datasheet下载- 型号： STP85N3LH5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP85N3LH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP85N3LH5价格参考。STMicroelectronicsSTP85N3LH5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP85N3LH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP85N3LH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP85N3LH5是一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种高效率、高功率密度的电源管理场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于需要高效能和紧凑设计的电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高转换效率并减小系统体积。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备、电动工具、电动车等的电机控制电路中，提供高电流承载能力和快速开关性能。 3. 电池管理系统（BMS）：应用于锂电池保护电路、充放电控制电路中，确保电池组的安全高效运行。 4. 负载开关与电源管理：作为高侧或低侧开关，用于智能电源分配、热插拔控制、负载切换等场合。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等系统中，作为核心功率开关器件，实现电能形式的高效转换。 6. 汽车电子：因其良好的可靠性和耐温性能，也适用于车载充电器、车载电机控制等汽车电源管理系统。 该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局设计。其综合性能使其广泛应用于工业、消费类电子及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220MOSFET N-channel 30V, 80A STripFET Mosfet |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP85N3LH5STripFET™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP85N3LH5 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 22 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 22 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 10.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-8451-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF216248?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 23.6 ns |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STP85N3LH5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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