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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRM120LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRM120LT1G价格参考。ON SemiconductorMBRM120LT1G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A Powermite。您可以下载MBRM120LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBRM120LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MBRM120LT1G是一款肖特基势垒二极管,属于二极管-整流器-单类型。该器件具有低正向压降和高开关速度的特点,适用于对效率和热性能要求较高的应用场合。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中作为输出整流元件,尤其适用于低压、大电流输出的电源设计,可有效降低功耗,提高整体效率。 2. 反向电压保护电路:在电池供电设备或电源输入端,用作防反接保护,防止因电源极性接反而损坏后级电路。 3. 续流二极管(Freewheeling Diode):在继电器、电机驱动等感性负载电路中,用于抑制关断时产生的反向电动势,保护开关器件(如MOSFET或三极管)。 4. 消费类电子产品:如手机充电器、笔记本电脑适配器、机顶盒等内部电源模块中,用于提升能效并满足节能标准。 5. 工业控制与电源系统:在各类工业电源、LED驱动电源中作为高效整流元件使用。 MBRM120LT1G采用SOD-123封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,且符合RoHS环保要求,具备良好的可靠性和稳定性。其20V的反向重复电压和1A的平均整流电流能力,使其在低压电源应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE肖特基二极管与整流器 1A 20V Low Vf |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRM120LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRM120LT1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 450mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 400µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | MBRM120LT1GOSCT |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 封装/箱体 | POWERMITE |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 400 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.65 V at 3 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 23°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MBRM120L |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | MBRM120LT3G |