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CSD18532KCS产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18532KCS由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18532KCS价格参考¥9.78-¥19.01。Texas InstrumentsCSD18532KCS封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3。您可以下载CSD18532KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18532KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18532KCS是由Texas Instruments(德州仪器)生产的单个FET(场效应晶体管),具体来说是一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这款MOSFET属于N沟道增强型器件,广泛应用于多种电力电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 CSD18532KCS在电源管理领域有广泛应用,尤其是在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等场景中。它能够高效地控制电流的开关,降低功耗并提高效率。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以减少发热,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,CSD18532KCS可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的快速开关特性和低损耗特性使其非常适合用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。 3. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,CSD18532KCS可用于电池充放电控制。它能够精确控制电流的流向,确保电池在安全范围内工作,防止过充或过放。此外,它还可以用于保护电路,防止短路或其他异常情况的发生。 4. 工业自动化 在工业自动化设备中,CSD18532KCS可用于控制各种负载,如电磁阀、继电器等。它的高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。此外,它还可以用于传感器接口电路中,提供信号隔离和放大功能。 5. 消费电子产品 在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等,CSD18532KCS可用于充电电路、背光驱动等场景。它的紧凑封装和高效性能使得它非常适合用于便携式设备,帮助延长电池寿命并提高用户体验。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,CSD18532KCS可用于车身控制系统、电动助力转向系统(EPS)、空调系统等。它能够承受较高的电压和电流冲击,确保汽车电子系统的稳定性和安全性。 总之,CSD18532KCS凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于广泛的电力电子应用,特别是在需要高效、低损耗和快速响应的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18532KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD18532KCS |
| Pd-PowerDissipation | 216 W |
| Pd-功率耗散 | 216 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 5.3 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4680pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 100A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-34941-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 24.2 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18532KCS |
| 功率-最大值 | 216W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 146 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A(Tc) |
| 系列 | CSD18532KCS |
| 配置 | Single |