Datasheet下载- 型号： PSMN1R9-40PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R9-40PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R9-40PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R9-40PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R9-40PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R9-40PLQ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 MOSFET 晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - PSMN1R9-40PLQ 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理应用，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够以较低的功耗实现高效的电流切换。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动中，这款 MOSFET 可用作功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（40V）和低 Rds(on) 特性使其适合低电压电机应用。 3. 负载开关 - 它可以作为负载开关使用，用于动态地接通或断开电路中的负载。这种应用常见于消费电子设备中，例如手机、平板电脑和笔记本电脑，用于保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电池管理系统中，PSMN1R9-40PLQ 可用于电池充放电路径的控制，确保电池的安全运行并防止过充或过放。 5. 汽车电子 - 尽管其额定电压为 40V，可能不适用于高电压汽车系统，但它仍然可以用于汽车中的低电压应用，例如车窗升降器、座椅调节器和灯光控制系统等。 6. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中，PSMN1R9-40PLQ 的快速开关特性和低电容特性使其成为理想选择，例如音频放大器或通信设备中的信号路由。 7. 保护电路 - 该 MOSFET 可用于设计过流保护、短路保护和热关断电路，提供可靠的安全机制以保护下游电子设备。 总之，PSMN1R9-40PLQ 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，特别是在需要高效能功率开关和低功耗操作的场景中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V SOT78 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN1R9-40PLQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 934067606127 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A （Tmb） |
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