Datasheet下载- 型号： RE1J002YNTCL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RE1J002YNTCL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RE1J002YNTCL价格参考￥0.44-￥0.91。ROHM SemiconductorRE1J002YNTCL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RE1J002YNTCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RE1J002YNTCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RE1J002YNTCL 是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。该型号属于低导通电阻的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于升压、降压或升降压转换电路中，作为开关元件实现高效的电压调节。 - 负载开关：在便携式设备中，用于控制负载的开启与关闭，减少待机功耗。 - 电池保护电路：在锂电池管理系统中，用作充放电保护开关。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，通过 PWM 控制实现速度调节。 - 在电子设备中用于风扇、泵等小功率电机的启停控制。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于高速信号切换，确保低损耗和高可靠性。 - 可用于音频信号切换或其他模拟信号处理场景。 4. 消费电子设备 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 在 USB 充电器、快充适配器中，用作开关元件以提高效率并降低热量。 5. 工业应用 - 工业自动化：在传感器接口、继电器替代方案中，提供快速响应和高可靠性的开关功能。 - 照明系统：用于 LED 驱动电路，支持调光和恒流控制。 6. 汽车电子 - 在车载信息娱乐系统、车窗升降器、座椅调节器等低功率控制电路中使用。 - 适用于汽车电子中的负载切换和保护功能。 特点总结 RE1J002YNTCL 的低导通电阻特性使其非常适合低功耗和高效能需求的应用场景。同时，其紧凑的封装形式（如 NTCL 封装）也使其成为空间受限设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FMMOSFET Small Signal MOSFET N-CH .9V Drive .2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，0.9V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RE1J002YNTCL- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RE1J002YNTCL |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 26pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | EMT3F |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | SC-89-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 200 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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