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Datasheet下载- 型号： IRLZ24NPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLZ24NPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ24NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ24NPBF价格参考￥2.55-￥7.44。International RectifierIRLZ24NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRLZ24NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ24NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRLZ24NPBF的器件是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器：适用于开关电源（SMPS）、电压调节模块（VRM）及各类DC-DC转换电路，因其低导通电阻和高效率特性，有助于提升系统能效并减少发热。 2. 电机控制与驱动电路：常用于直流电机、步进电机等驱动电路中，作为功率开关使用，支持PWM调速控制，适用于工业自动化、机器人及电动工具等领域。 3. 负载开关与继电器替代：可用于高可靠性负载开关设计，如LED照明、加热元件、风扇等设备的通断控制，具有响应速度快、寿命长的优势。 4. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备、储能系统或电动汽车中，用于电池充放电控制，保护电路免受过流、短路等损害。 5. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）和小型逆变器设计，配合其他功率器件实现直流到交流的能量转换。 该MOSFET具备较强的电流承载能力和良好的热稳定性，适合中低功率应用场景，尤其在要求节能与小型化设计的电子产品中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 18A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ24NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ24NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 105 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 105 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRLZ24NPBF |
| 功率-最大值 | 45W |
| 功率耗散 | 45 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 105 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 10 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
