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Datasheet下载- 型号： STU10N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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STU10N60M2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STU10N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU10N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTU10N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-PAK。您可以下载STU10N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STU10N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STU10N60M2是一款N沟道增强型MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），常用于中高功率的电力电子应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能、高频率的电能转换。 2. 电机驱动：在工业自动化和家电中用于控制直流电机或无刷电机的转速与方向，如电动工具、风扇、压缩机等。 3. 照明系统：应用于LED驱动电源中，提供稳定电流控制，实现高效节能的照明方案。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器、UPS不间断电源中，作为功率开关，实现直流电向交流电的转换。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）中的功率控制，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适用于高频开关操作，有助于提高系统效率并减小散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STU10N60M2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II Plus |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-13977-5 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
