Datasheet下载- 型号： DMN2100UDM-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2100UDM-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2100UDM-7价格参考。Diodes Inc.DMN2100UDM-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2100UDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2100UDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2100UDM-7 是一款P沟道增强型MOSFET，采用微型DFN2020封装，具有低导通电阻和小尺寸优势，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源管理开关或负载开关，实现电池供电的高效控制与节能。 2. 电源管理：在DC-DC转换器、电压调节模块中用作同步整流或高边/低边开关，提升电源转换效率，降低功耗。 3. 电池供电系统：适用于蓝牙耳机、智能手环、电子标签等低功耗设备，用于电池反向保护、电源通断控制，延长电池寿命。 4. 信号开关与逻辑电路：在小型化电路中作为模拟开关或电平转换元件，实现信号通断与逻辑控制。 5. 消费类电子：应用于TWS耳机充电仓、USB接口保护、LED驱动等场景，满足高频、低损耗需求。 该器件具备-20V耐压、-1.9A连续漏极电流能力，低栅极电荷和快速开关特性，适合高频工作环境。其小封装（2mm×2mm）节省PCB空间，是高密度集成设计的理想选择。整体上，DMN2100UDM-7 主要服务于对体积、能效和可靠性要求较高的消费类及便携式电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26MOSFET 900mW 20Vdss |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2100UDM-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2100UDM-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 900 mW |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 555pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | DMN2100UDM7 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 55 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-26-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Ta） |
| 系列 | DMN2100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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