【未分类_FQP10N20CTSTU】封装/厂家_FQP10N20CTSTU中文资料_价格

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型号： FQP10N20CTSTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP10N20CTSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP10N20CTSTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQP10N20CTSTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP10N20CTSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP10N20CTSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP10N20CTSTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 200V 的耐压能力和 10A 的连续漏极电流能力，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQP10N20CTSTU 可用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（典型值为 0.55Ω）和快速开关特性使其适合高效能的 DC-DC 转换电路。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，这款 MOSFET 可用作开关元件。它能够承受电机启动时的高浪涌电流，并在电机运行期间提供稳定的电流输出。

 3. 负载开关
   - 作为负载开关，FQP10N20CTSTU 可以实现对负载的快速开启和关闭，同时降低功耗。其低导通电阻有助于减少开关过程中的能量损耗。

 4. 电池保护与管理
   - 在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制。其高耐压能力可以适应各种电池电压范围。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器中，FQP10N20CTSTU 可用于将直流电转换为交流电，适用于家用电器、太阳能微逆变器等场景。

 6. 继电器替代
   - 由于其可靠的开关特性和长寿命，FQP10N20CTSTU 可以替代传统机械继电器，用于需要频繁开关的应用，如汽车电子、工业控制等。

 7. LED 驱动
   - 在高亮度 LED 照明应用中，这款 MOSFET 可用作恒流源的开关元件，确保 LED 的稳定工作并提高效率。

 8. 家电与消费电子
   - 该 MOSFET 适用于各类家电和消费电子产品，例如吸尘器、风扇、水泵等，提供高效的功率控制。

 总结
FQP10N20CTSTU 凭借其高耐压、大电流和低导通电阻的特点，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效能开关和功率控制的场合。选择该器件时，需根据具体电路设计要求考虑散热、栅极驱动条件等因素，以确保其最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP10N20CTSTU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	26nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	360 毫欧 @ 4.75A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	72W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9.5A （Tc）