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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N90_NL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N90_NL价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N90_NL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF3N90_NL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF3N90_NL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF3N90_NL是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于需要高效、高电压开关的应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其具备高耐压(900V)和良好的导通电阻特性,适合用于高效率电源系统中。 2. 照明系统:可用于LED照明驱动电路,特别是高功率LED照明,作为开关元件使用。 3. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,作为功率开关使用,适用于工业自动化和家电中的电机控制模块。 4. 逆变器与变频器:适用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中的功率转换部分。 5. 消费类电子产品:如电视、电源适配器等,用于内部电源转换模块中,实现高效的能量传输。 FQPF3N90_NL采用TO-220封装,便于散热,适合中高功率应用。其高电压耐受能力和良好的热稳定性,使其在多种工业与消费类应用中具有较高的可靠性与适用性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF3N90_NL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.25欧姆 @ 1.05A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 43W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A (Tc) |