【晶体管 - FET，MOSFET - 单_MTP2P50EG】封装/厂家_MTP2P50EG中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： MTP2P50EG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MTP2P50EG产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP2P50EG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP2P50EG价格参考。ON SemiconductorMTP2P50EG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 500V 2A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB。您可以下载MTP2P50EG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP2P50EG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 500V 2A TO220ABMOSFET 500V 2A P-Channel
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	2 A
Id-连续漏极电流	2 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MTP2P50EG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MTP2P50EG
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	75 W
Pd-功率耗散	75 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	6 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	6 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 500 V
Vds-漏源极击穿电压	- 500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	14 ns
下降时间	19 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1183pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	27nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6 欧姆 @ 1A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	MTP2P50EGOS
典型关闭延迟时间	21 ns
功率-最大值	75W
功率耗散	75 W
包装	管件
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	6 Ohms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	0.5 S
汲极/源极击穿电压	- 500 V
漏极连续电流	2 A
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2A （Tc）
系列	MTP2P50E
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V

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