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MTP2P50EG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTP2P50EG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP2P50EG价格参考。ON SemiconductorMTP2P50EG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 500V 2A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB。您可以下载MTP2P50EG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTP2P50EG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTP2P50EG是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于电源管理与功率开关应用。该器件具有500V的高漏源击穿电压,适用于高电压工作环境,其主要应用场景包括: 1. 高压电源开关:由于具备高耐压特性,MTP2P50EG常用于高压DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为控制通断的功率开关元件,尤其适合离线式电源设计。 2. 电机驱动电路:在工业控制和家用电器中,可用于驱动直流电机或步进电机的H桥电路中,实现正反转控制与制动功能。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备中,作为功率切换元件,参与直流到交流的转换过程。 4. 负载开关与电源管理:可用于高压侧负载开关,控制高电压负载的上电与断电,提供过流保护与热保护功能(需配合保护电路使用)。 5. 工业控制与自动化设备:适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统,如PLC模块、继电器替代方案等。 MTP2P50EG采用TO-220封装,便于散热,适合中等功率应用。其P沟道特性简化了栅极驱动电路设计,特别适用于高边开关应用。总体而言,该器件广泛应用于需要高电压、中低电流开关控制的工业、消费类及电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 2A TO220ABMOSFET 500V 2A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MTP2P50EG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MTP2P50EG |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1183pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MTP2P50EGOS |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 功率耗散 | 75 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 500 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
| 系列 | MTP2P50E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |