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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E08-55B,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E08-55B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E08-55B,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9E08-55B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9E08-55B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9E08-55B,127 是一款性能优良的单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等电路设计。 该MOSFET常用于汽车电子系统,如车载电源系统、LED照明驱动及电池管理系统中,其高可靠性和耐久性使其能够适应较为严苛的工作环境。此外,BUK9E08-55B,127也适用于工业自动化设备、消费类电子产品中的功率开关应用,如电源适配器、充电器及电源供应器等。 由于其封装形式(如常见的TO-220或类似功率封装)便于散热,该器件在需要稳定热性能的高功率密度设计中表现优异。总体而言,BUK9E08-55B,127是一款适用于多种中高功率应用的通用型MOSFET,具备良好的导通损耗和开关损耗平衡,适合追求效率与稳定性的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK9E08-55B,127 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5280pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 568-5732 |
功率-最大值 | 203W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |