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Datasheet下载- 型号： BF998R,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF998R,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF998R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF998R,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 8V 10mA 200MHz SOT-143R。您可以下载BF998R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF998R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF998R,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管（RF FET），属于双栅极MOSFET，专为高频、低噪声应用设计。该器件广泛应用于射频前端电路中，尤其适用于VHF和UHF频段的信号放大与处理。 典型应用场景包括：电视调谐器、FM收音机模块、有线电视（CATV）设备以及地面数字电视接收系统。其双栅极结构可有效提高选择性和隔离度，有助于抑制干扰信号，提升接收灵敏度。此外，BF998R,215具备低噪声系数和良好的增益特性，适合用于微弱信号的高频放大，如在无线通信接收器和广播接收设备中作为低噪声放大器（LNA）使用。 该器件采用SOT23封装，体积小巧，便于在高密度印刷电路板上布局，适用于消费类电子设备，如电视机顶盒、便携式收音设备、多媒体播放器及汽车音响系统等。凭借NXP在射频技术领域的可靠性，BF998R,215在稳定性与抗干扰能力方面表现优异，是中高频模拟信号处理中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R射频MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.03 A |
| Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF998R,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF998R,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 6 V |
| 产品种类 | MOSFETs - Arrays |
| 产品类型 | MOSFET Small Signal |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 其它名称 | 568-6181-6 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | SOT-143R |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 0.03 A |
| 电压-测试 | 8V |
| 电压-额定 | 12V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
| 零件号别名 | BF998R T/R |
| 频率 | 200MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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