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AT-41511-TR1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-41511-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-41511-TR1G价格参考。Avago TechnologiesAT-41511-TR1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 50mA 225mW Surface Mount SOT-143。您可以下载AT-41511-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AT-41511-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AT-41511-TR1G是Broadcom Limited生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频信号放大和射频电路设计。该器件具有低噪声、高增益和良好的线性度,适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统。 典型应用场景包括: 1. 无线通信设备:广泛用于蜂窝基站、微波中继通信、点对点无线电链路中的低噪声放大器(LNA)和驱动放大器。 2. 射频接收前端:因其低噪声特性,适合用于接收机的第一级放大,提升信号灵敏度。 3. 物联网(IoT)与工业无线系统:支持ISM频段(如900MHz、2.4GHz)的无线模块,适用于远程监控、传感器网络等应用。 4. 测试与测量仪器:用于信号发生器、频谱分析仪等设备中的射频信号处理电路。 AT-41511-TR1G采用小型表面贴装封装(SOT-323),便于高密度PCB布局,适合空间受限的应用。其稳定的工作性能和高可靠性使其成为工业级和商业级射频设计中的优选器件。总体而言,该晶体管适用于需要高性能、低功耗和高频率响应的射频模拟电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143射频双极晶体管 Transistor Si |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/search/results.jsp?src=&siteCriteria=AT41511 |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-41511-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0798EN |
| 产品型号 | AT-41511-TR1G |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143 |
| 其它名称 | 516-1568-6 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz |
| 增益 | 11dB ~ 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 10000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率 | 10000 MHz |
| 频率-跃迁 | - |