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  • 型号: BFG67/X,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BFG67/X,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG67/X,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG67/X,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG67/X,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 380mW Surface Mount SOT-143B。您可以下载BFG67/X,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG67/X,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的BFG67/X,215型号晶体管属于双极射频晶体管(BJT - Bipolar Junction Transistor),主要应用于高频和射频领域。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 无线通信设备
   - BFG67/X,215适用于低功率射频放大器,常用于无线通信系统中的信号放大。例如:
     - 对讲机
     - 无线麦克风
     - 无线数据传输模块

 2. 射频前端模块
   - 在射频前端模块中,该晶体管可以作为低噪声放大器(LNA)或驱动放大器使用,提高信号的强度和质量。
   - 应用于手机、Wi-Fi路由器或其他无线通信设备的射频部分。

 3. 调制解调器和收发器
   - 用于信号的调制与解调,支持AM/FM、SSB等调制方式。
   - 可在业余无线电设备中作为射频放大器。

 4. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中,如信号发生器、频谱分析仪等,该晶体管可用于信号生成或放大。

 5. 工业与医疗应用
   - 工业无线控制设备:如遥控开关、传感器信号传输。
   - 医疗设备中的低功率射频模块:如超声波设备的信号处理部分。

 6. 实验与开发
   - 电子工程师和爱好者可以用该晶体管搭建射频实验电路,学习射频信号的产生、放大和处理。

 性能特点
- 高增益:适合需要高放大倍数的射频应用。
- 宽频带:覆盖较宽的频率范围,适用于多种射频场景。
- 低噪声:适合作为低噪声放大器,减少信号失真。

总结来说,BFG67/X,215广泛应用于射频信号的放大、调制和传输等领域,特别适合低功率、高性能的射频设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF NPN 10V 8GHZ SOT143R射频双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG67/X,215-

数据手册

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产品型号

BFG67/X,215

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 15mA,5V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-143B

其它名称

568-11111-6

功率-最大值

380mW

功率耗散

380 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

2.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.3dB @ 1GHz

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-253-4,TO-253AA

封装/箱体

SOT-143

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 150 C

最大工作频率

8000 MHz

最大直流电集电极电流

0.05 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

10V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

10 V

集电极连续电流

0.05 A

零件号别名

BFG67/X T/R

频率

8000 MHz

频率-跃迁

8GHz

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