【未分类_MT3S20P(TE12L,F)】封装/厂家_MT3S20P(TE12L,F)中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MT3S20P(TE12L,F)
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT3S20P(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT3S20P(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.MT3S20P(TE12L,F)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MT3S20P(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT3S20P(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为MT3S20P(TE12L,F)的双极射频晶体管（BJT），主要应用于高频和射频领域。以下是其典型的应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - 该型号晶体管适用于射频功率放大器的设计，特别是在VHF（甚高频频段，30-300 MHz）和UHF（超高频频段，300 MHz-3 GHz）范围内。
   - 它可以用于广播、无线通信系统中的信号增强，例如对讲机、无线电发射机等。

 2. 电视和广播设备
   - 在电视和广播系统的前端电路中，该晶体管可用于信号放大和调制。
   - 它能够处理高频信号，确保信号传输的质量和稳定性。

 3. 无线通信系统
   - 该晶体管适合用于无线通信设备中的射频模块，如基站、中继站和其他无线传输设备。
   - 它可以在低噪声和高增益条件下工作，满足现代通信系统对信号完整性的要求。

 4. 工业、科学和医疗（ISM）频段应用
   - 在ISM频段（如433 MHz、915 MHz、2.4 GHz等），该晶体管可作为功率放大器的核心元件，用于无线传感器网络、微波炉、RFID阅读器等设备。

 5. 雷达和导航系统
   - MT3S20P(TE12L,F)可用于雷达和导航系统的射频部分，提供高效率的信号放大和传输。
   - 它在这些系统中起到关键作用，确保信号的精确性和可靠性。

 6. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中，该晶体管可用作信号源或功率放大器的一部分，帮助生成和放大高频信号以进行测试。

 特性总结：
   - 频率范围：适用于高频和射频应用，支持VHF/UHF频段。
   - 高增益和低噪声：确保信号质量，减少失真。
   - 高输出功率：适合需要大功率射频放大的应用场景。

总之，MT3S20P(TE12L,F)是一款高性能的射频晶体管，广泛应用于需要高频信号处理和放大的各种电子设备中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
产品分类	RF 晶体管 (BJT)
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
数据手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20P
产品图片
产品型号	MT3S20P(TE12L,F)
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 50mA，5V
供应商器件封装	PW-MINI
其它名称	MT3S20P(TE12LF)DKR
功率-最大值	1.8W
包装	Digi-Reel®
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	1.45dB @ 1GHz
增益	16.5dB
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
晶体管类型	NPN
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	12V
电流-集电极(Ic)（最大值）	80mA
频率-跃迁	7GHz